Fast mtj switching write circuit for mram array

Circuit d'écriture à mtj rapide pour matrice mram

Abstract

Selon l'invention, une grille de transmission (110) est agencée entre une source de courant (124) et un élément de mémoire résistif (108), une grille PMOS de la grille de transmission n'a pas d'effet de chargement de source et un courant d'écriture passe depuis la source de courant, et dans une première direction à travers l'élément de mémoire résistive, réglant l'élément de mémoire résistive à un état de magnétisation. Une grille NMOS de la grille de transmission n'a pas d'effet de chargement de source et un autre courant d'écriture passe à travers l'élément de mémoire résistif, dans une seconde direction opposée à la première direction, et à travers la grille de transmission, réglant l'élément de mémoire résistif à un état de magnétisation opposée.
A transmission gate (110) is arranged between a current source (124) and a resistive memory element (108), a PMOS gate of the transmission gate has no source loading effect and a write current passes from the current source, and in a first direction through the resistive memory element, setting the resistive memory element to a magnetization state. An NMOS gate of the of the transmission gate has no source loading effect and another write current, passes through the resistive memory element, in a second direction opposite th first direction, and through the transmission gate, setting the resistive memory element to an opposite magnetization state.

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Patent Citations (4)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    EP-2320425-A1May 11, 2011Honeywell International Inc.Selection device for a spin transfer torque magnetoresistive random access memory
    US-2007279963-A1December 06, 2007Kenji Tsuchida, Yoshihiro UedaSemiconductor memory
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    None

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